適用于1.5μm集成電路量產的寬譜接觸式光刻機。主要用于量產寬譜光刻膠的質量控制。
適用于500nm/650nm集成電路量產的g-線步進投影光刻機。主要用于量產G-line光刻膠的質量控制和新產品的研發測試。
適用于CD線寬不超過0.35μm集成電路量產的i-線步進投影光刻機。主要用于量產I-line光刻膠的質量控制和新產品的研發測試。
ArF浸沒式光刻機，數值孔徑(NA)高達1.35，適用于批量生產32nm以下的邏輯器件和40nm以下的存儲器件。
適用于CD線寬110nm集成電路量產的Krf scanner 曝光機。主要用于量產Krf 光刻膠的質量控制和新產品研發。
適用于150mm的各種材料的工藝處理I線，248納米，和193納米的工藝能力全自動的勻膠、顯影功能，層疊架構多層熱處理模塊，結構緊湊，高產能、高可靠性
電子掃描顯微鏡，用于曝光蝕刻后微細線條線寬的檢查，具有自動圖形識別、直徑檢測、多項目自動分析操作的技術功能，遠高于光學顯微鏡的放大倍數。
日立S4800冷場發射掃描電子顯微鏡采用半內透鏡設計,新型物鏡采用專利的ExB設計。使用單檢測器和超級ExB可以分別收集和分離單純二次電子、混合二次電子及背散射電子的信號，可以適應不同樣品的高分辨觀測需求,是納米級研究的必備工具。
光刻膠顯影分析，是最先進的18頻道沖洗速度分析評價裝置，可以對光致抗蝕劑的顯影速度進行評價。
是供實驗使用的開放的架子曝光裝置，配合LTJ-RDA-790使用。搭載Hg-Xe電燈，用過濾器可以用于248nm，365nm，436nm等波長的曝光。
適用于150mm的各種材料的工藝處理I線，248納米，和193納米的工藝能力全自動的勻膠、顯影功能，層疊架構多層熱處理模塊，結構緊湊，高產能、高可靠性
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